.本发明涉及给电池单体涂层的领域，尤其是给机动车电池单体涂层的领域，其中多个电池单体被相互接合以形成机动车电池。为了在这种机动车电池中避免电池单体的损坏对相邻的电池单体或相邻的电池产生影响，已知的是，电池单体设有电绝缘的涂层。这例如在wo/a中描述。.由dea也已经公知的是，电池...

.本发明涉及光模块。.在光通信等中使用的光模块中，平面光波电路(planarlightwavecircuit：plc)例如存在被用作光分支波导、波长滤波器的情况(专利文献、)。.在先技术文献.专利文献.专利文献：日本特开‑号公报.专利文献：日本特开‑号公报发明内容.发明要解决的课题.例...

.本公开涉及例如具有雪崩光电二极管的传感器芯片、包括该传感器芯片的电子设备以及测距装置。.雪崩光电二极管(apd，avalanchephotodiode)是在由于将预定的反向电压施加到p‑n结而扩展的耗尽层中设置高电场区域的光电二极管。通过形成高电场区域，能够使雪崩倍增(雪崩击穿)发生，...

.本发明涉及波长转换器、发光器件组合件和用于制备波长转换器和发光器件的方法。.在现有技术中存在磷光体波长转换器的若干实施方案。通常，陶瓷磷光体材料用于将特定波长的光转换成特定另外的波长。然而，一些陶瓷磷光体材料表现出散射。.例如，具有组分(sr,ba)sin:eu的琥珀色陶瓷用于全转换le...

.本发明涉及圆筒形电池。.以往，具备正极和负极隔着间隔件卷绕成螺旋状而成的电极体以及收纳电极体的有底圆筒形状的外装罐的圆筒形电池已被熟知。例如，在专利文献中公开了一种圆筒形电池，其具有如下结构：在卷绕型的电极体的外周面形成负极芯体的表面露出的露出部，使露出部与成为负极外部端子的金属制的外装...

.本发明涉及热管理领域。.确切地说，这涉及允许对临时产热元件的热管理的组合件。.在蓄电池中，能够调节电池的操作温度可能非常有效，因为电池在产生电流时会发热，而且无论外部温度条件如何，即使电池处于停止状态，也必须保持在精确的温度范围内。.术语“蓄电池”意味着“电气装置”，并且因此应理解为生成...

.本揭示内容的示例大体上涉及用于等离子体处理的方法和设备，并且更特定地，涉及用于等离子体处理的具有带有增强的膜性质的元件部件的方法和设备。.微电子或集成电路装置的制造通常涉及复杂的处理序列，其需要在半导体、介电和导电基板上执行数百个单独的步骤。这些处理步骤的示例包括氧化、扩散、离子注入、薄...

用于等离子体纳米天线光束移相器和转向器的装置.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日提交的申请号为/,、申请名称为“用于等离子体纳米天线光束移相器和转向器的方法和装置”的美国专利申请和于年月日提交的申请号为/,、申请名称为“用于等离子纳米天线光束移相器和转向器的装置”的美国专利申请的益处和优先权，...

温度可调式多区静电卡盘.本文描述的实施方式总体上涉及半导体制造，并且更具体地涉及静电卡盘的温度控制或温度校准及其使用方法。相关技术说明.随着器件图案的特征尺寸变小，这些特征的关键尺寸(cd)要求成为稳定且可重复的器件性能的更重要标准。由于困难的腔室工艺参数控制(诸如腔室与基板的温度...

.本发明涉及光电转换元件、光电转换装置、光电转换元件前体、光的检测方法以及光电转换元件的制造方法。.本申请主张基于年月日在日本提出申请的特愿‑号的优先权，将其内容援引于此。.已知使用雪崩光电二极管、光电倍增管等的光电转换元件来放大光电流的技术。雪崩光电二极管通过在由无机半导体形成的pn结之...

.本公开涉及用于在内燃机等中对混合气点火的火花塞。.作为在内燃机中使用的火花塞，已知有例如日本特开‑号公报所记载的火花塞。该火花塞具备筒状的主体配件、嵌入有主体配件的绝缘体、以使发火部突出的状态设置于绝缘体的内侧的中心电极及以与中心电极的发火部对向的方式配置的接地电极。接地电极具有以与中心...

.本技术涉及光接收装置和测距模块，更具体地，涉及能够提高灵敏度的光接收装置和测距模块。.已知一种使用间接tof(timeofflight：飞行时间)方案的测距传感器。在间接tof方案的测距传感器中，通过接收由测量对象反射的光而获得的信号电荷被分配到两个电荷累积区域，并且根据信号电荷的分...

.本揭示涉及一种连接器。.在专利文献中揭示一种同轴电连接器，具备：外部导体，具有嵌合桶状部；介电体，收纳在嵌合桶状体内而被保持；及中心导体，具有保持在介电体并在嵌合桶状部的轴线方向延伸的接触部。外部导体具有：盖部，覆盖嵌合桶状部的开口；一对臂部，从嵌合桶状部沿着半径方向伸出；及围绕部，与臂...

.本发明涉及在半导体元件的制造工序中使用并用于对存在于半导体晶圆上的金属钌进行蚀刻的新型处理液。.近年，半导体元件的设计规则的微细化进展，存在布线电阻增大的倾向。布线电阻增大的结果是，半导体元件的高速工作受到的阻碍越加显著，需要对策。因此，作为布线材料，期待有与以往的布线材料相比具有电迁移...

.本发明涉及一种电组件和一种使电组件散热的方法。.当今的变频器借助标准硅igbt模块构建。新型功率半导体、例如具有大带隙的氮化镓(gan)能够主要以分立器件的形式提供。在此，主要问题之一是开关和导通损失的散热。开关损失在硬开关的情况下特别大，由此根据开关技术在热学上限定开关频率和导通电流。...

.本发明涉及利用了柱壁波导路的滤波器。特别是，涉及具备温度补偿功能的滤波器。.公知有电磁耦合的多个谐振器作为使特定的频带(以下，也记载为“通频带”)的电磁波选择性地通过的带通滤波器(bandpassfilter。以下，也记载为“bpf”)发挥功能。.在非专利文献中，公开了利用作为多个谐振...

.本发明涉及一种用于连接电导体的接线端子。本发明还涉及一种具有至少两个接连排列的接线端子的接线端子盒。.deb揭示过一种接线端子，其具有壳体、布置在壳体中的电流条以及用于将待连接的导体夹紧至此电流条的夹箍弹簧。为了将夹箍弹簧移入夹紧位置和打开位置，接线端子具有可旋转地支承在壳体中...

多位置注入气体以提高快速交替工艺中的均匀性相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日申请的美国临时申请no./,的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。.本公开涉及衬底处理系统，且更具体地涉及用于快速交替工艺(rap)的气体注入系统和方法。.这里提供的背景描述是为了总...

.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日提交的韩国专利申请第‑‑号的优先权和权益，通过引用将其发明内容以其完整的形式并入本文中。..本发明涉及一种锂二次电池用正极和包含所述锂二次电池用正极的锂二次电池。.随着移动装置的技术的发展和对移动装置的需求的增加，对作为能量来源的二次电池的需...

利用气体处理及脉冲化的离子束蚀刻通过引用并入.pct申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的pct申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。.磁性随机存取存储器(mram)是应用例如隧道化磁阻(tmr)的类的磁阻效应的一种...